Qualcomm и Samsung разрабатывают Snapdragon 835

Недавно стало известно, что новое поколение флагманского процессора компании Qualcomm может получить неожиданную нумерацию. Теперь эта информация подтверждена официально – флагманы первой половины 2017 года будут построены на базе Qualcomm Snapdragon 835.

Кроме того, подтвердилось участие в проекте компании Samsung, которая в октябре представила первый в мире 10-нм FinFET-чип. Он обеспечит 27% прирост производительности и 40% в показателях энергоэффективности. Кроме того, чипсет станет на треть меньше по размерам, а это, по словам Samsung, даст дополнительные возможности по установке более ёмких аккумуляторов.

Обе стороны высказали свое удовлетворение достигнутыми договоренностями о партнерстве, назвав их важным шагом в развитии микроэлектронных технологий. Релиз Snapdragon 835 состоится в первой половине 2017 года, но конкретные технические характеристики пока не называются, упоминая лишь то, что он станет развитием Snapdragon 820/821, на базе которых сегодня работает более 200 устройств. Судя по всему, Snapdragon 835 получит 8 ядер Kryo с рабочей частотой до 2,6 ГГц, графику Adreno 540 и быструю зарядку Quick Charge 4.0.