Технология производства экранов IGZO

Название IGZO представляет собой сочетание первых букв компонентов (оксид индия, галлия и цинка) полупроводникового материала, из которого сделан экран.

Каждый пиксел экрана управляется своим собственным транзистором. Транзисторы из IGZO обладают улучшенными характеристиками по сравнению с аморфным кремнием, применяемым сегодня в жидкокристаллических панелях.
 
Электроны в новых транзисторах перемещаются быстрее, а сами элементы стали меньше. Размеры транзистора оказывают самое непосредственное влияние на величину пиксела, а значит, маленькие транзисторы позволяют уменьшить размеры пиксела и разместить больше пикселов на единице площади.
 

Технология IGZO

Новые транзисторы не требуют постоянного обновления своего состояния при демонстрации неподвижного изображения. Это позволяет сократить энергопотребление и уменьшить влияние интерференции со стороны электронных компонентов экрана. В результате повышается точность и чувствительность сенсорных панелей.

Прототипы панели IGZO потребляют на две трети меньше электроэнергии по сравнению с пане-лью из аморфного кремния. Энергозатраты IGZO на подсветку значительно ниже (иногда наполовину).
 
Благодаря уменьшенным размерам электронных элементов можно стеклянное покрытие дисплея делать тоньше, следовательно, портативные устройства становятся еще компактнее.

Повышенная разрешающая способность маленьких экранов, уменьшенное энергопотребление, более точное срабатывание сенсорных панелей — все это весьма востребовано сегодня производителями портативной электроники, поэтому все с нетерпением ждут появления технологии IGZO в новых продуктах.

Технология IGZO уходит своими корнями в разработки профессора Токийского технологического института Хидео Хосоно, который в середине 90-х годов первым синтезировал такие транзисторы. Впоследствии подобными исследованиями занимался целый ряд компаний из Японии, Южной Кореи и Тайваня.