TSMC начала разработку 10-нм техпроцесса

Тайваньский производитель полупроводниковых изделий TSMC заявил о планах по разработке 10-нм техпроцесса до конца этого года. При этом компания планирует переход к массовому производству уже в 2017 году. Об этом сообщил исполнительный директор TSMC Сук Ли, добавив, что переход на новый техпроцесс будет не слишком сложным, благодаря уже реализованной технологии FinFET в поколении чипов, выполненных по 16-нм процессу. При этом Ли не дал никаких комментариев по поводу возможности создания 7-нм процесса, завив, что следующее за 10-нм поколение будет представлено в промежутке между 2017 и 2019 годом.

«В данный момент мы работаем с 10 клиентами над созданием их 10-нм продуктов. Проекты приближаются к финальной стадии, и массовое производство ожидается в 2017 году»,- заявил Сук Ли.

Также директор TSMC высказался по поводу довольно спорного решения о разработке 20-нм техпроцесса, назвав его «окончательным планарным процессом».

«Стратегия компании заключалась в создании конечного планарного процесса в лице 20-нм технологии, а в дальнейшем — в переходе к FinFET-архитектуре при разработке 16-нм техпроцесса. Наши клиенты хотели использовать планарную технологию по максимуму, а нам 20-нм техпроцесс позволил более плавно перейти к FinFET-разработкам».

По слухам, именно один из крупнейших клиентов — компания Qualcomm — и спровоцировала TSMC на разработку 20-нм техпроцесса. При этом Ли отмечает, что опыт создания 20-нм техпроцесса помог компании в переходе к 16-нм технологии.

TSMC является крупнейшим поставщиком полупроводниковых микросхем с долей рынка порядка 40%, а клиентами компании являются такие известные производители, как Apple или Qualcomm.