Samsung разрабатывает мобильную память LPDDR4

Samsung сообщила о разработке новых компонентов памяти для мобильных систем: первых в отрасли 8-Гбит высокоскоростных модулей LPDDR4 DRAM с пониженным энергопотреблением, а также новой компоновке модулей памяти для использования в устройствах носимой электроники.

Работы над созданием нового 4-Гбит 20-нм чипа памяти LPDDR4 начались в конце прошлого года. Прототип 336b показал высокую скорость обработки данных, которая составила около 3200 Мбит/с при мощности 1,1 Вт. О планах начала серийного производства новых чипов пока не сообщается.

Потребность в памяти будет расти

В последнее время наблюдается стремительный рост потребности в использовании высокоэффективной памяти при одновременном повышении требований к плотности их размещения. Спрос на память DRAM стремительно растет, на уровне 50% в год.

По оценкам Samsung, в 2015 г. начнется постепенный рост числа устанавливаемых в смартфонах датчиков — до 11 различных типов, при этом каждый из них будет требовать использования собственной памяти, основной (DRAM) и наличия места для хранения кода и данных (eMMC).

Потребность в памяти будет также расти из-за роста разрешения экранов.

Другой важный фактор — это наметившийся переход с 32- на 64-разрядные мобильные ОС. Этот переход не может быть осуществлен без роста доступной памяти: для работы 64-разрядной ОС ее всегда требуется больше. Поэтому если для полноценной работы 32-разрядной ОС можно было обходиться 4 Гб основной памяти на базе DRAM-модулей, то для 64-рязрядной версии придется поднять планку до 8 Гб.

Модернизация взамен перехода на новый уровень

Чтобы удовлетворить потребителей, ожидающих новых возможностей от приобретаемых мобильных устройств уже в этом году, Samsung намерена заняться улучшением характеристик уже выпускаемой памяти LPDDR3. Модернизация состоит в переходе на новую подсистему компоновки памяти в процессорном блоке. Разработки в этом направлении будут использованы в первую очередь в готовящихся к выпуску системах носимой электроники.

Так, монтаж памяти для «умных» часов Galaxy Gear первого поколения выполняется сейчас по улучшенной технологии ePOP, которая требует площадки размером всего 12×12 мм. Кроме этого, встраиваемые чипы памяти eMMC размещаются сверху памяти LPDDR3 в конфигурации на 4 G+4 Gb. Такая компоновка позволяет более эффективно расходовать пространство, выделенное для монтажа чипов, и снизить потери доступной мощности.

Для сравнения, при монтаже процессорных систем предыдущего поколения рабочий процессор соединялся со встроенным набором микросхем памяти, которые располагались в стороне от него. При новой компоновке ePOP модули памяти NAND и DRAM располагаются поверх рабочего процессора, что снижает размер используемой подложки на размещение чипов памяти.

Но выигрыш достигается не только в размерах. Новая объединенная компоновка создает более комфортные условия для рассеивания выделяющегося тепла. В выигрыше оказывается прежде всего NAND-память, которая является очень чувствительной к изменению температуры.