Анонсирован процессор Qualcomm Snapdragon 835

Как и ожидалось, на выставке CES 2017 компания Qualcomm представила чипсет Snapdragon 835. В то время как Snapdragon 821 был лишь наследником 820 с увеличенной производительностью, новый Snapdragon 835 построен на техпроцессе 10 нм от Samsung с транзисторами FinFET (3D) второго поколения. Новинку ещё не успели протестировать в бенчмарках, но Qualcomm заявляет о приросте производительности на 20% в сравнении с предшественником. Snapdragon 835 оснащается группой из четырёх ядер с частотой 2,45 ГГц и 2 МБ кэш-памяти, а также кластером из четырёх энергоэффективных ядер с частотой 1,8 ГГц м 1-мегабайтным кэшем.

По словам Qualcomm, новинка на 20% быстрее предыдущего поколения, на 25% энергоэффективнее и на 35% меньше по габаритам, что позволит производителям не экономить на емкости батареи, при этом сохраняя низкую толщину. Выросла также скорость быстрой зарядки на 20% (благодаря технологии Qualcomm Quick Charge 4.0) и передачи данных – новый чип поддерживает стандарты LTE X16, Bluetooth 5.0, Wi-Fi 802.11ad и 2×2 802.11ac Wave-2.

Анонсирован процессор Qualcomm Snapdragon 835

Обновились и другие ключевые модули чипсета – здесь используются графический чип Adreno 540 с поддержкой OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan и DX12, вспомогательный процессор Hexagon 682, чип для обработки изображений Qualcomm Spectra 180, ЦАП Qualcomm Aqstic WCD9341, системы, гарантирующие безопасность программных и аппаратных ресурсов. Заявлена всесторонняя поддержка 4К (разрешение экрана, проигрывание видео в формате UHD@60fps, съемка UHD@30fps), новых стандартов оперативной (LPDDR4x) и постоянной (UFS2.1 Gear3 2L) памяти, двойных камер с разрешением до 16 Мп и простых модулей до 32 Мп.